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时间2025-01-17 03:30:21发布yu分类文章浏览140

导读：项目成功研发出国内首款可替代日本“FUSO”的高端纳米级二氧化硅磨料，其主要抛光研磨参数达到甚至超越了FUSO的同类产品。该产品具有工艺稳定、批次重复性高的特点，并且已建成1立方米的生产线。相比国际同类产品，成本降低至50%左右。通过自主知识产权技术，实现了30~150nm尺寸范围内二氧化硅颗粒的可控调控制备，且颗粒尺度分布窄（PDI为0.03-0.2），纯...

项目成功研发出国内首款可替代日本“FUSO”的高端纳米级二氧化硅磨料，其主要抛光研磨参数达到甚至超越了FUSO的同类产品。该产品具有工艺稳定、批次重复性高的特点，并且已建成1立方米的生产线。相比国际同类产品，成本降低至50%左右。通过自主知识产权技术，实现了30~150nm尺寸范围内二氧化硅颗粒的可控调控制备，且颗粒尺度分布窄（PDI为0.03-0.2），纯度高（金属杂质含量≤400 ppb），形貌以高球形度为主，单分散性和化学稳定性优异。此外，还具备质量浓度范围广（≦30%）和易于放大生产的优势。核心技术涵盖从制备工艺到设备设计及抛光液配伍的三大创新点，适用于芯片等精密抛光过程。鉴于我国集成电路市场占全球40%，突破关键材料的进口依赖成为当务之急，该项目在CMP技术中发挥着至关重要的作用，有助于提升国产化水平并降低成本。

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